บ้าน
>
ผลิตภัณฑ์
>
เพชรที่มีสารโบรอน
>
|
| สถานที่กำเนิด | จีน |
| ชื่อแบรนด์ | INFI |
การใช้งานในอุตสาหกรรม
อิเล็กตรอดเพชรที่มีโบรออน (BDD) รักษาน้ําเสียที่ซับซ้อนได้อย่างมีประสิทธิภาพ เช่น
ยา/ซากซากจากการแปรรูปทางเคมี
น้ํายาล้างจากการผลิตของวัตถุระเบิด
ผงสีทอและขยะการทําผิวหนัง
ผลิตภัณฑ์ข้างเคียงของปิโตรเคมีและโลหะ
สารล้างที่เก็บขยะและการปล่อยโรงงานดิสติลเลอรี่
| ไม่ ไม่ | ชื่อสินค้า | สับสราต | รายละเอียด | หน่วย |
| 1 | อิเล็กตรอด BDD | สารสกัดจากสลิคอน | 5*5*0.55 มิลลิเมตร | ชิ้น |
| 2 | อิเล็กตรอด BDD | ซิลิคอนเคลือบสองด้าน | 5*5*1.0mm เปิด 2 หลุม |
ชิ้น |
| 3 | อิเล็กตรอด BDD | ซิลิคอนเคลือบสองด้าน | 5*5*1.0mm เปิด 4 หลุม |
ชิ้น |
| 4 | อิเล็กตรอด BDD | ซิลิคอนเคลือบสองด้าน | 8*6*1 สล็อต |
ชิ้น |
| 5 | อิเล็กตรอด BDD | ซิลิคอนเคลือบสองด้าน | 7*7*0.5mm | ชิ้น |
| 6 | อิเล็กตรอด BDD | สารสกัดจากสลิคอน | 10*10*0.625 มิลลิเมตร | ชิ้น |
| 7 | อิเล็กตรอด BDD | ซิลิคอนเคลือบสองด้าน | 10*10*0.625 มิลลิเมตร | ชิ้น |
| 8 | อิเล็กตรอด BDD | ซิลิคอนเคลือบสองด้าน | 10*10*0.5 มิลลิเมตร | ชิ้น |
ความเด่นทางการปฏิบัติงาน
การทําลายล้างที่มีประสิทธิภาพต่อสิ่งแวดล้อม: การทําลายอินทรีย์เร็วกว่า 40% เมื่อเทียบกับ PbO2/Pt anodes แบบดั้งเดิม
ความทนทานต่อสารเคมี: รักษาความสมบูรณ์แบบในสภาพแวดล้อมกรด / แอลคาลี
การสังเคราะห์โอโซน: สร้างโอโซนโดยไม่ใช้อิเล็กทรอลิทเพื่อการทําความสะอาดที่ยั่งยืน
วิทยาศาสตร์วัสดุ
ข้อดีของแบนด์เกป: 5.47 eV สามารถทํางานได้มากกว่า 500 °C
ความสามารถในการใช้อุณหภูมิ: การนําไฟฟ้า 2,200 W/mK ลดความต้านทานทางความร้อนในระบบเลเซอร์ให้น้อยที่สุด
อิเล็กตรอนไดนามิก: ความเคลื่อนไหวของรูที่ดีเยี่ยมสําหรับวงจร RF ความถี่สูง
ค่าเทียบผลงาน
คีย์ส์ อินเด็กซ์: ดีที่สุดสําหรับการลดขนาดเล็กของไมโครเอเล็คทรอนิกส์
อัตราการแสดงผลของจอห์นสัน: 8,200 (20x GaN?? s 280) สําหรับเครื่องขยายพลังงานสูง
ความสามารถของแคทโดดเย็น: ประกอบด้วยความสัมพันธ์อิเล็กตรอนลบ
การแก้ไขความร้อนโดยวิศวกรรม
ความสามารถในการนําไฟตามความต้องการ: 1,000 ราคา 1,800 W/mK (สามารถปรับให้สมดุลค่าใช้จ่าย-ผลประกอบการ)
การผลิตด้วยความแม่นยํา:
การควบคุมความหนา: ± 25 μm
ผิว Ultra-Flat: ความเบี่ยงเบน < 4 μm/cm
การเคลือบสองด้าน: หน้าการเติบโต < 100 nm Ra, หน้า nucleation < 30 nm Ra
การนําเสนอแบบมาตรฐาน
ขนาด: มาตรฐาน Ø65 มิลลิเมตร (มีขนาดตามต้องการ)
ตัวเลือกความหนา:
ขนาดใหญ่: 0.3~1.5 มิลลิเมตร
โปรโมชั่น: 0.2~1.0 มม.
เมทริกส์กล:
ความหนาแน่น: 3.5 g/cm3
ความเหนียว: 1,000-1100 GPa Young's modulus
กรณีการใช้ที่สําคัญ
เครื่องกระจายความร้อนสําหรับบรรจุ IC ความหนาแน่นสูง
เครื่องลดความร้อนในระบบเลเซอร์อากาศ
โมดูลปรับปรุงความเย็นแบบคอมแพคต์สําหรับพื้นฐาน 5G
ติดต่อเราได้ตลอดเวลา
