อิเล็กทรอัด BDD ความสามารถสูง โมโนคริสตัลเพชร อิเล็กทรอัด BDD สําหรับการบําบัดและทําความสะอาดน้ํา

อิเล็กตรอด BDD: การปฏิวัติการบําบัดน้ําเสีย

การใช้งาน
อิเล็กทรอัด BDD (Boron-Doped Diamond) มีผลดีในการทําลายสารปนเปื้อนทางอินทรีย์ที่ซับซ้อนในอุตสาหกรรมต่างๆ:

• ขยะยา/สารเคมี

• ผลิตภัณฑ์ข้างเคียงของปิโตรเคมีและค๊อก

• สีทอและน้ํายาลดน้ําตาล

• สารลอกจากที่เก็บขยะและซากระเบิด

• น้ําเสียจากโรงงานผลิตผง/กระดาษ และโรงงานผลิตผง

ข้อดีด้านการทํางาน

• ประสิทธิภาพสูงกว่า: เกิน PbO2/Pt อิเล็กทรอัดในการทําลายอินทรีย์กับการใช้พลังงานที่ต่ํากว่า 30%

• การผลิตโอโซนที่ปลอดภัยต่อสิ่งแวดล้อม: การผลิตโอโซนไร้เอเลคโทรลิตเพื่อทําความสะอาดน้ํา

• ความ ยั่งยืน มาก: ทนต่อการกัดกร่อนในสภาพแวดล้อมทางเคมีที่รุนแรง

คุณสมบัติของครึ่งตัวนํา

• Ultrawide Bandgap (ระยะความกว้างเกิน): 5.47 eV (5 × ซิลิคอน 1.1 eV) ทําให้อุปกรณ์ทํางานได้ในอุณหภูมิสูง / ความถี่สูง

• ความสามารถในการนําความร้อน: 2,200 W/mK (5 × ทองแดง) ลดขนาดส่วนประกอบ/น้ําหนักในเครื่องเสริมเสียงและเลเซอร์

• ความเคลื่อนไหวของอิเล็กตรอน: ความเคลื่อนไหวของรูที่สูงที่สุดในหมู่วัสดุแบนด์เกปที่กว้าง เหมาะสําหรับไอซีคลื่นมิลลิเมตร

เมทริกเทคนิค

• ดัชนีจอห์นสัน: 8,200 (เทียบกับ 410 สําหรับ SiC)

• อัตราแสดงผล Baliga: ดีที่สุดสําหรับระบบเปลี่ยนพลังงาน

• ความสัมพันธ์อิเล็กตรอนลบ: ทําให้สามารถใช้งานคาโทดเย็น

CVD Polycrystalline Diamond: การจัดการความร้อน

ลักษณะสําคัญ

• ความสามารถในการนําความร้อนที่ปรับได้: 1,000 ราคา 1,800 W/mK (9 × ซิลิคอน 139 W/mK)

• วิศวกรรมแม่นยํา:

• ความหนา ความอนุญาต: ± 25 μm

• ความเรียบของพื้นผิว: < 4 μm/cm

• ปลายด้านการเติบโต: < 100 nm Ra

• ปลายด้านกลางของ Nucleation: < 30 nm Ra

ระเบียบมาตรฐาน

• ขนาด: สูงสุด Ø65 มิลลิเมตร (สามารถปรับแต่ง)

• ความหนา:

• ผงดิบ: 0.3~1.5 มิลลิเมตร

• โปรโมชั่น: 0.2~1.0 มม.

• ความหนาแน่น: 3.5 กรัม/ซม.

• โมดูลัสของหนุ่ม: 1,000 ¥ 1,100 GPa

การใช้งานทางอุณหภูมิ

• เครื่องติดตั้งเลเซอร์ไดโอเดสพลังงานสูง

• เครื่องกระจายความร้อนวงจรบูรณะ

• โซลูชั่นความร้อนแบบคอมแพคต์สําหรับอิเล็กทรอนิกส์อากาศ