บ้าน
>
ผลิตภัณฑ์
>
เพชรที่มีสารโบรอน
>
|
| สถานที่กำเนิด | จีน |
| ชื่อแบรนด์ | Chenguang |
| หมายเลขรุ่น | BDD |
เพชรที่มีสารโบรอน (BDD) เป็นเพชรชนิดใหม่ที่เกิดจากการเพิ่มโบรอนในกระบวนการเติบโตเพชรอิเล็กทรอัดที่ทําจากเพชรที่มีโบรอน ยังเรียกว่า อิเล็กทรอัด BDD หรืออิเล็กทรอัดเพชรที่มีโบรอนอิเล็กทรอัด BDD ปกติถูกทําเป็นแผ่นบางโดยการฝากควายเคมี (CVD)
อิเล็กทรอัด BDD ใช้ฟิล์มเพชรที่มีโบรอนด๊อปปเป็นแอโนดอิเล็กทรอัด และไทเทเนียมหรือวัสดุอื่น ๆ เป็นแคธอดสําหรับการวิเคราะห์ไฟฟ้าโครงสร้างพันธะ sp3 พิเศษของฟิล์มเพชรที่มีโบรอนด๊อปป์ และความสามารถในการนําไฟฟ้าของมันทําให้ไฟฟ้าเพชรมีลักษณะไฟฟ้าเคมีที่ดี, ความสามารถในการพัฒนาออกซิเจนที่สูงมากและหน้าต่างไฟฟ้าเคมีที่กว้างที่สุด, กระแสพื้นหลังที่ต่ํากว่า, และความมั่นคงทางกายภาพและเคมีที่ดีกว่าและลักษณะการสับซ้อนต่ําเป็นวัสดุแอโนดที่เหมาะสมสําหรับการบํารุงน้ําเสียอินทรีย์ที่ยากจะบีโอเดรเกรด.
|
รุ่น: |
เพชร cvd โบรอนด๊อปปิ้ง (BDD) |
| ขั้นตอนการเติบโตของคริสตัล: | cvd โบรอนด็อป |
| สี: | สีดํา |
| รูปทรง: | วงกลม สี่เหลี่ยม สามเหลี่ยม |
| ระยะขนาด: | 2-50 มม. ความหนา:0.1-0.5-1.0 มิลลิเมตร |
| ลักษณะสินค้าหลัก: | BDD เป็นวัสดุครึ่งโลหะที่มีลักษณะของการนําไฟฟ้าสูงและการโอนอิเล็กตรอนอย่างรวดเร็วอิเล็กทรอัด BDD ได้รับการยอมรับว่าเหนือกว่าวัสดุอิเล็กทรอัดอื่น ๆ เนื่องจากคุณสมบัติไฟฟ้าเคมีที่ดี. ข้อดีหลัก ๆ ได้แก่ - ความมั่นคงทางเคมีและมิติที่โดดเด่น - กระแสไฟฟ้าพื้นหลังที่ต่ํามาก - ช่องว่างความสามารถที่กว้างขวางมากสําหรับการแก้ไขน้ํา - ช่องว่างความโปร่งใสทางไฟฟ้าแม่เหล็กขนาดใหญ่ของฟิล์มบางตั้งแต่บริเวณ UV-Vis ถึงบริเวณอินฟราเรดไกล (v) ความรู้สึกต่อแม่เหล็กที่ต่ํา เมื่อเทียบกับวัสดุไฟฟ้าอื่น ๆ และ (vi) ความเหมาะสมทางชีวภาพที่ดีที่สุด (โครงสร้าง sp3 hybridized) |
| ลักษณะสินค้าหลัก: | ในสภาพเดียวกัน ประสิทธิภาพและการบริโภคพลังงานของไฟฟ้า BDD ในสารอินทรีย์ที่ทําลายล้างดีกว่าไฟฟ้าอื่น ๆ อย่างมาก |
| การใช้งาน | น้ําเสียอินทรีย์หลากหลาย เช่น น้ําเสียอินทรีย์ในสาขายา/สารเคมีเกษตร น้ํามันเคมี โค๊ก โหลด พิมพ์และสี การผลิตกระดาษ การผสมผง วัตถุระเบิด การผลิตไวน์สารละลายที่เก็บทิ้งเป็นต้น |
| หมายเหตุการขอ | คุณสมบัติของ BDD มีความสําคัญอย่างยิ่งในการวิเคราะห์ไฟฟ้าสําหรับการพัฒนาเซนเซอร์และชีวเซนเซอร์อิเล็กทรอัด BDD ทําให้สามารถตรวจจับโมเลกุลที่มีพลังไฟฟ้าในสื่อน้ําได้หลายอัน ซึ่งถ้าไม่เช่นนั้น จะถูกปิดบังโดยปฏิกิริยาการละลายของน้ําที่ความสามารถสูงกว่าผิวของ BDD อิเล็กทรอนด์สามารถได้รับการเพิ่มเติม (ภาพ) การทํางานหรือตกแต่ง เพื่อเพิ่มการตอบสนองทางเคมีไฟฟ้าในตัวของโมเลกุลอินทรีย์พื้นผิวของ BDD ยังสามารถปรับปรุงด้วยอนุภาคนาโนโลยีโลหะ (eBDD ยังเป็นวัสดุอิเล็กทรออดที่ใช้อย่างแพร่หลายสําหรับการเก็บพลังงานทางเคมีไฟฟ้า, อิเล็กทรോകาตัลไซส์หรือการประกอบไฟฟ้า กรุณาสังเกตว่าพื้นผิวขนาดใหญ่กว่าสองพื้นผิวมีคุณสมบัติที่ไม่เท่าเทียมกัน นี่คือผลจากการดําเนินงานหลังการแปรรูปของพอลิกริสตัล BDDขณะที่พื้นผิวหนึ่งเพียงแค่เคลือบที่สองคือเลเซอร์ตัดแรกและแล้วเคลือบ. อุณหภูมิที่ปล่อยออกมาในระหว่างการตัดเลเซอร์มีผลต่อระดับของ boron doping และในผลลัพธ์การลดความสามารถในการนําไฟฟ้า. |
| ความอดทนความหนา: | < 10% |
| ช่องว่างความเป็นไปได้ที่คาดในสื่อน้ํา: | ~3.0 - 3.5 V |
| ช่องว่างที่เป็นไปได้ที่คาดในสื่ออินทรีย์: | ~5.0 - 7.5 V |
| ความจุที่คาดหวัง (หลังการกะทะทางเคมี) | ~ 10 μF cm2 |
| ระดับการเติมด็อป B ที่วัด: | 1.4·1020 ซม.3 (ด้าน A) 4.5·1020 ซม.3 (ด้าน B) |
| ความต้านทานที่วัด: | 9 โอม ซม. (ด้าน B) 15 โอม ซม. (ด้าน A) |
ติดต่อเราได้ตลอดเวลา
